半導体ナノポアDNAシーケンサーの設計と試作

Study period：2005 - 2005
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 工学研究院 )
Research overview：

本研究では、シリコンナノ加工技術を利用した新規半導体ナノポアDNAシーケンサーの設計とプロトタイプデバイスの作製を目指している。この新規デバイスは、不純物を高濃度にドープした超薄膜(=10nm)結晶シリコン層を表面に有するSilcon-On-Insulator(SOI)基板に、イオンビーム技術を利用して2-3nmの微小孔(ナノポア)を開け、高濃度ドープ超薄膜結晶シリコン層をナノスケール電極として、このナノポアを通過するDNAの一つ一つの塩基をロックイン技法を適用して高周波キャパシタンス測定により高速(~1μs)で読み取ることを特長としており、国内外に同種の技術は存在しない。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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