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J-GLOBAL ID:202104017222604057
Research Project code:7700000833
エピタキシャル強磁性トンネル接合を用いた強磁性体/半導体融合デバイス
エピタキシャル強磁性トンネル接合を用いた強磁性体/半導体融合デバイス
National award number:JPMJPR0194
Study period:2001 - 2004
Organization (1):
Principal investigator:
(
, リサーチアソシエイト )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0194
Research overview:
本研究は強磁性体と半導体の融合デバイスに関するもので、原子スケールで界面構造を制御した強磁性体/半導体/強磁性体エピタキシャル三層ヘテロ構造に、ナノスケールの微細加工を施すことによって発現する新奇な磁気伝導現象を用いた機能デバイスを構築します。従来の半導体エレクトロニクスにキャリアのスピン自由度を応用した新しいエレクトロニクスの展開を目指します。
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Research program:
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Parent Research Project:
ナノと物性
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :
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