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J-GLOBAL ID:202104017457490563
Research Project code:12102630
薄板状シリコン単結晶の直接育成技術の研究開発
薄板状シリコン単結晶の直接育成技術の研究開発
Study period:2012 - 2013
Organization (1):
Research responsibility:
(
, 大学院理工学研究科, 学術研究員 )
Research overview:
太陽電池SiウエハはSiインゴットを切断して作製されるが、その時の切断ロスはインゴット体積の60%を超える状況であり、太陽電池Siの低コスト化の障害になっている。我々が開発したSi融液に濡れない基板に種結晶とその上にSi原料を設置し融解凝固させることで、切断フリーの板状単結晶育成を目標に検討を行った。その結果、40mm角の殆ど単結晶の板状Siが育成出来た。
Terms in the title (3):
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Research program:
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Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
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