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J-GLOBAL ID:202104017703848715  Research Project code:12101891

新規グラフェン系透明導電膜の開発および剥離・転写技術

新規グラフェン系透明導電膜の開発および剥離・転写技術
Study period:2012 - 2013
Organization (1):
Research responsibility: ( , 理工学研究科 )
Research overview:
現在高性能電子デバイスは主にガラス等の耐熱性基板上に低圧CVD法などにより、600°C以上の高温で形成されている。しかし軽量フレキシブル化の動向から、現在フィルム上の成膜が期待されている。しかしフィルムの耐熱性温度は300°C程度であることから、高性能電子デバイスの直接形成には限界がある。このため簡単なプロセス技術で機能性薄膜・デバイスを耐熱性基板からフィルム上への剥離・転写技術の開発を検討した。具体的には、可用性酸化グラフェンをテンプレートに利用した多結晶Si、透明導電膜ZnO:Al(AZO)薄膜および積層膜のフィルム上への剥離・転写できる技術を確立した。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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