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J-GLOBAL ID：202104017706718707
Research Project code：12101076
高効率光電変換デバイスの実現に向けたIII族窒化物のマルチバンドエンジニアリング
高効率光電変換デバイスの実現に向けたIII族窒化物のマルチバンドエンジニアリング
National award number：JPMJPR12C4
Study period：2012 - 2015
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(MANA), ICYS-MANA researcher )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR12C4
Research overview：
幅広い波長領域に対応する直接遷移型のIII族窒化物半導体は、優れた高効率な光電エネルギー変換デバイスを構成できます。本研究では、高効率エネルギー利用のための新たなInGaNの多層ナノ界面変調のコンセプトを実証することで、高In組成のInGaNのp型化を実現し、高効率な光電変換デバイスの実現に挑戦します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
エネルギー高効率利用と相界面
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
