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J-GLOBAL ID：202104019053893225  Research Project code：7700009051

高密度中性原子発生装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用

高密度中性原子発生装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用
Study period：2006 - 2006
Organization (1)：
室蘭工業大学

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Principal investigator：
福田 永

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(
室蘭工業大学

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, 工学部電気電子工学科, 教授 )
Research overview：
次世代超高集積回路製造に向けて、低温下でナノから数ミクロンオーダーの厚さの高機能薄膜が成長が行える大口径ウエハ対応高密度中性原子発生装置を開発することを目的とする。
Terms in the title (6)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
中性原子

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発生装置

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開発

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次世代

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半導体プロセス

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応用

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Research program：
Industry-Academia Collaborative R&D

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Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency

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