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J-GLOBAL ID：202104019130446261
Research Project code：20353236
新しい偏極中性子散乱による次世代デバイスの微視的理解
新しい偏極中性子散乱による次世代デバイスの微視的理解
National award number：JPMJFR202V
Study period：2021 - 2027
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 金属材料研究所, 准教授
東北大学ディスティングイッシュトリサーチャー )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJFR202V
Research overview：
中性子散乱は物質科学における強力な微視的測定手段です。研究提案者が新たに考案した中性子スピンを含めて解析する偏極中性子散乱手法により、次世代デバイスであるスピントロニクスと超伝導を対象とした研究を展開します。次世代デバイスの研究では電圧測定等、これまで巨視的な知見が蓄積されていますが、実用化には微視的な情報が不可欠です。新散乱手法を用いて微視的機構の解明とそれによる物質設計指針の獲得に繋げます。
Terms in the title (4)：
Terms in the title
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Research program：
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Parent Research Project：
川村パネル
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
