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J-GLOBAL ID：202104019554733198  Research Project code：7700400170

シリコン同位体のレーザー濃縮による半導体材料の製造

シリコン同位体のレーザー濃縮による半導体材料の製造
Study period：1998 -
Organization (1)：
ニュークリア・デベロップメント株式会社

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Corporate responsibility：
ニュークリア・デベロップメント株式会社

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Terms in the title (5)：
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シリコン

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同位体

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レーザー

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濃縮

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半導体材料

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Research program：
Industry-Academia Collaborative R&D

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Programs dosed application by FY2008

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Organization with control over the research：
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