Proj
J-GLOBAL ID：202104019686317029
Research Project code：08062769
ワイドギャップ半導体中の単一常磁性発光中心による量子情報素子
ワイドギャップ半導体中の単一常磁性発光中心による量子情報素子
National award number：JPMJPR086A
Study period：2008 - 2011
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院数理物質科学研究科, 講師 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR086A
Research overview：
量子通信・量子コンピューティングのためには量子もつれ状態(エンタングル状態)を生成できる多くの量子ビットを持った素子を実現し、量子情報処理を安定的に精度良く行う必要があります。本研究ではダイヤモンドや他のワイドギャップ材料中の単一常磁性発光中心を研究し、それらの特性を生かして、数量子ビットによる量子もつれ状態を用いた演算・記録及び単一光子発生を行える素子の実現を目指します。
Terms in the title (4)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
,
,
,
Research program：
＞
＞
Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
