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J-GLOBAL ID：202104019697787337
Research Project code：7700001350
相関エレクトロニクス
相関エレクトロニクス
National award number：JPMJCR9884
Study period：1998 - 2003
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 基礎研究所, 特別研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR9884
Research overview：
理想的な半導体薄膜ならびにナノ構造で現れる強いキャリア相関に着目し、現在物性研究に留まっている半導体における相関効果の研究を、半導体量子計算や半導体中でのキャリア超流動などのインパク卜の大きな相関効果に発展させることをめざします。具体的には薄膜構造における電子-電子(正孔-正孔、電子-正孔)の相関、結合ドット間のキャリアの相関、キャリアと核スピンやキャリアと電磁波との相互作用を研究し、(量子)相関エレクトロニクスの可能性を追究します。
Terms in the title (2)：
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Research program：
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Parent Research Project：
電子・光子等の機能制御
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
