HfO2強誘電体を用いた機能性トランジスタの開発

National award number：JPMJKB1903
Study period：2020 - 2022
Organization (1)：
Principal investigator： ( , ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJKB1903
Research overview：

HfO2強誘電体薄膜の新機能開拓とそのトランジスタ集積技術を共同で研究開発し、AIシステムに不可欠な機能性トランジスタの基盤技術を構築することを目的とする。その成果はAIチップの製造を加速し、スマートで知的な社会生活の実現に貢献する。

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Research program：＞＞
Parent Research Project： Nanoelectronics and System Integration for AI
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

Reports ：

2022 Completion report , Ex-post evaluation report
2021 Annual report
2020 Annual report

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