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J-GLOBAL ID:202104019939628417  Research Project code:08068980

段差被覆性に優れたIr系薄膜形成技術の開発

段差被覆性に優れたIr系薄膜形成技術の開発
Study period:2008 - 2008
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院工学研究科電気系工学専攻, 助教 )
Research overview:
1トランジスタ-1キャパシタ(1T-1C)型の不揮発性強誘電体メモリ(FeRAM)の高集積化のためには三次元立体強誘電体キャパシタの形成技術の確立が急務である。本申請課題では、1T-1C型FeRAMへの応用を目的として、段差被覆性に優れたIr系電極薄膜形成技術(有機金属化学気相堆積法)の開発に取り組む。
Terms in the title (4):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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