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J-GLOBAL ID:202104019958379827  Research Project code:08003278

SiC表面自己改質によるグラフェンの形成

SiC表面自己改質によるグラフェンの形成
Study period:2007 - 2007
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院工学研究院エネルギー量子工学部門, 教授 )
Research overview:
近年,グラフェンは次世代超高速電子デバイスとして大きな注目を浴びている材料である.2次元電子物性の有用性が報告されつつあるが,実際のデバイス応用にあたり作製法に関するブレークスルーが必要である.グラファイトをテープで剥がす手法が主に用いられているが,デバイス作製のみならず物性測定においても大きな困難を伴うことは明らかである.本研究では,SiC表面グラフェン化のメカニズムを探求し,それにより最適グラフェン層を形成することを目的とする.
Terms in the title (4):
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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