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J-GLOBAL ID:202104019986455822  Research Project code:12102780

厚膜化によるらせん転位フリーSiC結晶成長

厚膜化によるらせん転位フリーSiC結晶成長
Study period:2012 - 2013
Organization (1):
Research responsibility: ( , 工学研究科 )
Research overview:
シリコンカーバイト(SiC)は次世代パワーデバイスへの応用が期待されている材料である。電力の変換を担うパワーデバイスの高効率化によってもたらされる省エネ効果は莫大であり、現状のSiをSiCに置き換えることにより、50%以上もの変換ロスを低減できるという試算もある。現在、市販されているSiC単結晶ウエハーは昇華法によって製造されているが、結晶中に転位をはじめとする多くの欠陥を含むため、期待されるパワーデバイス特性を、高い信頼性のもとで発揮できていないのが現状である。本研究課題では、溶液法における転位の変換を応用し、厚膜化により高品質SiC結晶を成長する方法を開発した。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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