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J-GLOBAL ID：202104020092217987
Research Project code：14530577
フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出
フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出
National award number：JPMJPR1426
Study period：2014 - 2017
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA研究者 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1426
Research overview：
本研究は、誘電率40以上のフッ化物高誘電体極薄膜材料(フッ化物High-k)を創出し、MOS構造でSiO2換算等価膜厚0.5nm以下、低リーク素子の実現を目指します。フッ化物High-kは、一種の材料で多様な次世代チャネル材料(Ge、InGaAsなど)と界面反応層が無い直接接合形成の可能性が有り、これまでに無いユニバーサルな高機能High-k材料としてIT機器の消費電力の劇的な低減が期待できます。
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Research program：
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Parent Research Project：
素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
