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J-GLOBAL ID:202104020285223151
Research Project code:10102290
新規三元系セラミックス薄膜の低温合成技術の開発
新規三元系セラミックス薄膜の低温合成技術の開発
Study period:2010 - 2010
Organization (1):
Research responsibility:
(
, その他部局等, 研究員 )
Research overview:
新規三元系セラミックスとして、MAX相の一つであるTi3SiC2に着目した。アークガンを用いて、基板にパルスバイアス電圧を印加し、500°C以下の低温でMAX相Ti3SiC2薄膜の合成を目指した。作製した膜はいずれもアモルファス構造であった。この膜を真空中で熱処理したところ、500°C以上ではあるが結晶化することがわかった。また、基板バイアス電圧が高いほど、結晶化領域の面積割合が大きくなることもわかった。今回、500°C以下で合成するという目標は達成できなかったが、今後は、基板バイアス電圧以外の作成条件も最適化し、さらに低温でのMAX相の合成を進めていく。
Terms in the title (4):
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Research program:
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Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
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