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J-GLOBAL ID:202104020674006506  Research Project code:09157020

MOSトランジスタによる薄膜構造体の応力検出技術の開発

MOSトランジスタによる薄膜構造体の応力検出技術の開発
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 理工学部機械システム系・マイクロ機械システム工学科, 准教授 )
Research overview:
薄膜構造体上に形成したMOSトランジスタを利用し、薄膜変形時における電気特性の変化から局所的な応力検出を実現する、新たな薄膜材料用機械的特性評価の方法を開発する。このためトランジスタを組み込んだ薄膜の引張試験を実施し、トランジスタのキャリア移動度と薄膜表面に生じる応力の関係を明確にする。トランジスタを応用することで、局所応力の測定が可能となる高空間分解能な応力検出センサの実現が期待できる。
Terms in the title (5):
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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