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J-GLOBAL ID:202104021440946307  Research Project code:09158278

β-酸化ガリウムとZnOを用いた自立GaN膜の形成技術の開発

β-酸化ガリウムとZnOを用いた自立GaN膜の形成技術の開発
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 理工学部, 教授 )
Research overview:
サファイア基板を用いて自立GaN単結晶(サファイア基板が付いていない状態を自立と呼ぶ)を得る新しい方法を開発するのが目的である。犠牲層としてZnOを用い、結晶性向上の為の中間層として (
201
)配向β-酸化ガリウム(Ga2O3)層を用いる。酸素プラズマ中のZn蒸着、Ga蒸着、窒素プラズマ中のGa蒸着により、ZnO層、β-Ga2O3層、GaN層を形成する。結晶性の良い最上層GaNを得る条件を研究する。
Terms in the title (5):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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