β-酸化ガリウムとZnOを用いた自立GaN膜の形成技術の開発

Study period：2009 - 2009
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 理工学部, 教授 )
Research overview：

サファイア基板を用いて自立GaN単結晶(サファイア基板が付いていない状態を自立と呼ぶ)を得る新しい方法を開発するのが目的である。犠牲層としてZnOを用い、結晶性向上の為の中間層として (

201

)配向β-酸化ガリウム(Ga₂O₃)層を用いる。酸素プラズマ中のZn蒸着、Ga蒸着、窒素プラズマ中のGa蒸着により、ZnO層、β-Ga₂O₃層、GaN層を形成する。結晶性の良い最上層GaNを得る条件を研究する。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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