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J-GLOBAL ID：202203003721707960

遺伝子発現制御装置および遺伝子発現制御方法

Inventor： 立崎 武弘 ,  廣理 英基 ,  亀井 謙一郎 ,  坂口 怜子
Applicant, Patent owner： 学校法人東海大学
Agent (4)： 田▲崎▼ 聡 ,  小林 淳一 ,  川越 雄一郎 ,  春田 洋孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020143603
Publication number (International publication number)：2022038894
Application date： Aug. 27, 2020
Publication date： Mar. 10, 2022
Summary：

【課題】生細胞を培養環境下に保持したまま生細胞の遺伝子発現の促進および抑制の両方を制御することができる遺伝子発現制御装置および遺伝子発現制御方法を提供する。 【解決手段】生細胞の遺伝子発現を制御する遺伝子発現制御装置は、生細胞を培養環境下に保持し、生細胞にパルス状のテラヘルツ波を集光して照射し、テラヘルツ波の集光位置における電場強度の時間波形と電場方向とを計測し、生細胞をテラヘルツ波の集光位置に固定し、テラヘルツ波は、穴を有する放物面鏡によって集光されてテラヘルツ波の集光位置に照射され、テラヘルツ波の集光位置における電場強度の時間波形と電場方向との計測に用いられるプローブビームは、穴を介してテラヘルツ波と同軸にテラヘルツ波の集光位置に照射され、テラヘルツ波の集光位置を透過したプローブビームを検出することによって、テラヘルツ波の集光位置における電場強度の時間波形と電場方向とが計測される。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

生細胞の遺伝子発現を制御する遺伝子発現制御装置であって、 前記生細胞を培養環境下に保持する培養環境保持部と、 前記培養環境保持部によって培養環境下に保持されている前記生細胞に、パルス状のテラヘルツ波を集光して照射するテラヘルツ波集光照射部と、 前記テラヘルツ波集光照射部によって照射された前記テラヘルツ波の集光位置における電場強度の時間波形と電場方向とを計測する電場強度時間波形計測部と、 前記生細胞を前記テラヘルツ波の集光位置に固定する生細胞位置決め部とを備え、 前記テラヘルツ波集光照射部は、穴を有する放物面鏡を備え、 前記テラヘルツ波は、前記放物面鏡によって集光されて前記テラヘルツ波の集光位置に照射され、 前記電場強度時間波形計測部による前記テラヘルツ波の集光位置における電場強度の時間波形と電場方向との計測に用いられるプローブビームは、前記穴を介して前記テラヘルツ波と同軸に前記テラヘルツ波の集光位置に照射され、 前記電場強度時間波形計測部は、前記テラヘルツ波の集光位置を透過した前記プローブビームを検出することによって、前記テラヘルツ波の集光位置における電場強度の時間波形と電場方向とを計測する、 遺伝子発現制御装置。

IPC (3)：

C12M 1/00 ,  C12M 1/42 ,  C12N 13/00

FI (3)：

C12M1/00 A ,  C12M1/42 ,  C12N13/00

F-Term (9)：

4B029AA23 ,  4B029BB11 ,  4B029CC02 ,  4B029GA01 ,  4B033NG05 ,  4B033NH03 ,  4B033NH04 ,  4B033NJ04 ,  4B033NK01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 国際公開第2011/125600号
  
• 物質調整装置、及び物質調整方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-333559   Applicant：キヤノン株式会社