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J-GLOBAL ID：202203004284660475

半導体積層体

Inventor： 眞砂 卓史 ,  笠原 健司 ,  柴▲崎▼ 一郎
Applicant, Patent owner： 学校法人福岡大学
Agent (1)： 平井 安雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020196657
Publication number (International publication number)：2022085142
Application date： Nov. 27, 2020
Publication date： Jun. 08, 2022
Summary：

【課題】薄膜化した量子井戸層を適用した場合においても、電子移動度が高く、極低温まで動作可能で、温度安定性が高い半導体積層体を提供する。 【解決手段】半導体積層体1は、基板2と、基板2上に形成される第1障壁層3と、第1障壁層3上に形成される量子井戸層4と、量子井戸層4上に形成される第2障壁層5と、第2障壁層5上に形成されるキャップ層6とを備え、量子井戸層4が、InAs x Sb 1-x (0.3≦x≦0.6)からなり、第1障壁層3及び第2障壁層5が、Al y In 1-y Sb(x≦y≦x+0.2)からなる。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に形成される第1障壁層と、 前記第1障壁層上に形成される量子井戸層と、 前記量子井戸層上に形成される第2障壁層と、 前記第2障壁層上に形成されるキャップ層とを備え、 前記量子井戸層が、InAs x Sb 1-x (0.3≦x≦0.6)からなり、 前記第1障壁層及び前記第2障壁層が、Al y In 1-y Sb(x≦y≦x+0.2)からなることを特徴とする半導体積層体。

IPC (4)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 43/06 ,  B82Y 30/00

FI (4)：

H01L29/06 601W ,  H01L29/80 H ,  H01L43/06 S ,  B82Y30/00

F-Term (22)：

5F092AA01 ,  5F092AA20 ,  5F092AB01 ,  5F092AC02 ,  5F092BA07 ,  5F092BA15 ,  5F092BA20 ,  5F092BA23 ,  5F092BA35 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ04 ,  5F102GV08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第5536339号公報