超音波トランスデューサーアレイ、超音波トランスデューサーアレイの製造方法、超音波トランスデューサーアレイを用いたパラメトリックスピーカー及び超音波トランスデューサーアレイを用いたパラメトリックスピーカーの使用方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：加藤直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020187348
Publication number (International publication number)：2022076783
Application date： Nov. 10, 2020
Publication date： May. 20, 2022
Summary：

【課題】パラメトリックスピーカーを構成する超音波トランスデューサーアレイに於いて、低コストで効率良く素子を形成する製造方法が求められると共に、パラメトリックスピーカーの使用条件に於いて求められる動作温度範囲(高温特性)を実現することが求められていた。【解決手段】パラメトリックスピーカーを構成する超音波トランスデューサーアレイにおいて、該超音波トランスデューサーは平面上にマトリクス状に複数が形成されてなり、該超音波トランスデューサーは振動板を有するモノモルフ圧電素子であって、該圧電素子に用いられる圧電体は多孔質セラミクスであり、ゾルゲル法を用いて形成するようにした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

パラメトリックスピーカーを構成する超音波トランスデューサーアレイであって、該超音波トランスデューサーは基板上に複数が形成されてなり、該超音波トランスデューサーは振動板を有するモノモルフ圧電素子であって、該圧電素子に用いられる圧電体は多孔質セラミクスであり、ゾルゲル法を用いて形成されたことを特徴とする、超音波トランスデューサーアレイ。

IPC (7)：

H04R 17/00 , H04R 31/00 , H04R 1/40 , B05D 1/02 , B05D 5/12 , B05D 3/02 , B05D 7/24

FI (10)：

H04R17/00 332A , H04R31/00 330 , H04R1/40 330 , H04R17/00 330 , H04R17/00 330G , H04R17/00 332Z , B05D1/02 Z , B05D5/12 Z , B05D3/02 Z , B05D7/24 301E

F-Term (31)：

4D075AA01 , 4D075AA71 , 4D075AA76 , 4D075BB08Z , 4D075BB16X , 4D075BB28Z , 4D075BB92Y , 4D075CA18 , 4D075CA21 , 4D075CA47 , 4D075CA48 , 4D075DA06 , 4D075DB01 , 4D075DB04 , 4D075DC05 , 4D075DC13 , 4D075DC21 , 4D075EA12 , 4D075EC01 , 4D075EC02 , 4D075EC05 , 4D075EC54 , 5D019AA17 , 5D019AA18 , 5D019AA26 , 5D019BB02 , 5D019BB18 , 5D019BB19 , 5D019EE03 , 5D019FF01 , 5D019HH01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

噴射システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-233358 Applicant：国立大学法人熊本大学
音響出力装置及び音響出力装置の駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-077970 Applicant：株式会社デンソーテン
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