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J-GLOBAL ID:202203006193187281

超音波トランスデューサーアレイ、超音波トランスデューサーアレイの製造方法、超音波トランスデューサーアレイを用いたパラメトリックスピーカー及び超音波トランスデューサーアレイを用いたパラメトリックスピーカーの使用方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 加藤 直樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2020187348
Publication number (International publication number):2022076783
Application date: Nov. 10, 2020
Publication date: May. 20, 2022
Summary:
【課題】パラメトリックスピーカーを構成する超音波トランスデューサーアレイに於いて、低コストで効率良く素子を形成する製造方法が求められると共に、パラメトリックスピーカーの使用条件に於いて求められる動作温度範囲(高温特性)を実現することが求められていた。 【解決手段】パラメトリックスピーカーを構成する超音波トランスデューサーアレイにおいて、該超音波トランスデューサーは平面上にマトリクス状に複数が形成されてなり、該超音波トランスデューサーは振動板を有するモノモルフ圧電素子であって、該圧電素子に用いられる圧電体は多孔質セラミクスであり、ゾルゲル法を用いて形成するようにした。 【選択図】図1
Claim (excerpt):
パラメトリックスピーカーを構成する超音波トランスデューサーアレイであって、 該超音波トランスデューサーは基板上に複数が形成されてなり、 該超音波トランスデューサーは振動板を有するモノモルフ圧電素子であって、 該圧電素子に用いられる圧電体は多孔質セラミクスであり、 ゾルゲル法を用いて形成されたことを特徴とする、 超音波トランスデューサーアレイ。
IPC (7):
H04R 17/00 ,  H04R 31/00 ,  H04R 1/40 ,  B05D 1/02 ,  B05D 5/12 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/24
FI (10):
H04R17/00 332A ,  H04R31/00 330 ,  H04R1/40 330 ,  H04R17/00 330 ,  H04R17/00 330G ,  H04R17/00 332Z ,  B05D1/02 Z ,  B05D5/12 Z ,  B05D3/02 Z ,  B05D7/24 301E
F-Term (31):
4D075AA01 ,  4D075AA71 ,  4D075AA76 ,  4D075BB08Z ,  4D075BB16X ,  4D075BB28Z ,  4D075BB92Y ,  4D075CA18 ,  4D075CA21 ,  4D075CA47 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB04 ,  4D075DC05 ,  4D075DC13 ,  4D075DC21 ,  4D075EA12 ,  4D075EC01 ,  4D075EC02 ,  4D075EC05 ,  4D075EC54 ,  5D019AA17 ,  5D019AA18 ,  5D019AA26 ,  5D019BB02 ,  5D019BB18 ,  5D019BB19 ,  5D019EE03 ,  5D019FF01 ,  5D019HH01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (2)
  • 噴射システム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2017-233358   Applicant:国立大学法人熊本大学
  • スピーカ、オーディオ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-309849   Applicant:株式会社アノディックサプライ

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