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J-GLOBAL ID：202203006476035925

低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法

Inventor： 向井 紳 ,  荻野 勲 ,  岩村 振一郎 ,  一家 拓矢 ,  小野 博信
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北海道大学 ,  株式会社日本触媒
Agent (1)： 弁理士法人WisePlus
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018227592
Publication number (International publication number)：2020090409
Patent number：7178045
Application date： Dec. 04, 2018
Publication date： Jun. 11, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する含窒素炭素材料に、アンモニア及び/又はアミンを含む雰囲気下でマイクロ波を300秒以上照射する工程を含むことを特徴とする低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法。

IPC (5)：

C01B 32/05 ( 201 7.01) ,  C01B 32/192 ( 201 7.01) ,  C01B 32/194 ( 201 7.01) ,  H01M 4/88 ( 200 6.01) ,  H01M 4/90 ( 200 6.01)

FI (5)：

C01B 32/05 ,  C01B 32/192 ,  C01B 32/194 ,  H01M 4/88 K ,  H01M 4/90 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-023070   Applicant：旭カーボン株式会社, 国立大学法人北海道大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Preparation and electrochemical characterization of nitrogen doped graphene by microwave as supporti