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J-GLOBAL ID：202203013114358005

薄膜パターンの焼成方法及びマイクロ波焼成装置

Inventor： 渡邉 雄一 ,  植村 聖 ,  西岡 将輝 ,  宮川 正人 ,  中村 考志
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (3)： 特許業務法人イイダアンドパートナーズ ,  飯田 敏三 ,  赤羽 修一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018021456
Publication number (International publication number)：2019140213
Patent number：6986264
Application date： Feb. 08, 2018
Publication date： Aug. 22, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 円筒型又は筒中心軸に対して垂直方向の断面が長方形の筒型を除く筒中心軸を中心として対向する2面が平行な多角筒型の空胴共振器のマイクロ波照射空間にシングルモードの定在波を形成し、電界強度が極小で磁界強度が極大となる磁場領域に、導電性材料または誘電体材料若しくはその両方を含む薄膜パターンを有するシートを通して、前記薄膜パターンを焼成する工程を含み、 前記薄膜パターンは、アスペクト比が3.7以上の異方性を有する薄膜パターンであり、該薄膜パターンの前記長軸方向の少なくとも一部を前記磁場領域に発生させた磁場の振動方向に対して45度以上90度以下の角度に配して、前記磁場領域に前記シートを通す、薄膜パターンの焼成方法。

IPC (4)：

H05K 3/10 ( 200 6.01) ,  H05B 6/74 ( 200 6.01) ,  H05B 6/72 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (5)：

H05K 3/10 Z ,  H05B 6/74 F ,  H05B 6/72 C ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 R