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J-GLOBAL ID：202203017126126385

レーザ照射方法、及びレーザ照射システム

Inventor： 池上 浩 ,  若林 理 ,  老泉 博昭 ,  諏訪 輝
Applicant, Patent owner： ギガフォトン株式会社 ,  国立大学法人九州大学
Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：7045969
Patent number：7140338
Application date： Dec. 21, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 少なくともドーパントとしての不純物元素を含む不純物源膜が半導体基板上に形成されてなる被照射物に、前記半導体基板のバンドギャップエネルギよりも大きなフォトンエネルギを有するパルスレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、以下を備える: A.レーザドーピング用の第1の照射条件として、前記被照射物上に設定された矩形状の照射領域に照射されるパルスレーザ光の1パルス当たりのフルーエンスである第1のフルーエンスと、前記照射領域に照射される2以上の照射パルス数である第1の照射パルス数とを読み込むステップであって、前記第1のフルーエンスは、前記パルスレーザ光を前記第1の照射パルス数だけ前記被照射物に照射した場合に、前記不純物源膜にアブレーションが生じる閾値以上であって、かつ、前記半導体基板の表面に損傷が生じる閾値未満である; B.前記照射領域のスキャン方向への幅をBx、前記第1の照射パルス数をNd、前記パルスレーザ光の繰り返し周波数をfとした場合に、下式(a)に基づいて第1のスキャン速度Vdxを算出するステップ; C.前記パルスレーザ光を前記照射領域に前記繰り返し周波数fで照射しながら、前記照射領域に対して相対的に前記被照射物を前記第1のスキャン速度Vdxで移動させるステップ; Vdx=f・Bx/Nd ・・・(a)D.ポストアニール用の第2の照射条件として、前記照射領域に照射されるパルスレーザ光の1パルス当たりのフルーエンスである第2のフルーエンスと、前記照射領域に照射される2以上の照射パルス数である第2の照射パルス数とを読み込むステップであって、前記第2のフルーエンスは、前記パルスレーザ光を前記第2の照射パルス数だけ前記被照射物に照射した場合に、前記半導体基板中の欠陥が修復され得るフルーエンスの閾値以上であって、かつ、前記半導体基板の表面に損傷が生じる閾値未満である;E.前記第2の照射パルス数をNpとした場合に、下式(d)に基づいて第2のスキャン速度Vpxを算出するステップ;及びF.前記パルスレーザ光を前記照射領域に前記繰り返し周波数fで照射しながら、前記照射領域に対して相対的に前記被照射物を前記第2のスキャン速度Vpxで移動させるステップ;Vpx=f・Bx/Np ・・・(d)さらに、G.前記第1のフルーエンスをFd、第2のフルーエンスをFpとした場合に、下式(i)を満たす。 Fp IPC (2)：

H01L 21/22 ( 200 6.01) ,  H01L 21/268 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 21/22 E ,  H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/268 T