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J-GLOBAL ID:202203017677897587

希土類錯体、発光材料、発光体、及び、ホスフィンオキシド基を有する化合物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司 ,  沖田 英樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2021074135
Publication number (International publication number):2022168581
Application date: Apr. 26, 2021
Publication date: Nov. 08, 2022
Summary:
【課題】本開示の一側面は、高い透明性を有する発光体を容易に形成することのできる希土類錯体に関する。 【解決手段】三価の希土類イオンと、希土類イオンと配位結合を形成するホスフィンオキシド基、及び水素結合性官能基を有するホスフィンオキシド配位子と、を含む、希土類錯体が開示される。ホスフィンオキシド配位子が2以上のホスフィンオキシド基を有していてもよい。複数の希土類イオンと複数のホスフィンオキシド配位子とが交互に配列することによって繰り返し構造が形成されていてもよい。 【選択図】なし
Claim (excerpt):
三価の希土類イオンと、 前記希土類イオンと配位結合を形成するホスフィンオキシド基、及び水素結合性官能基を有するホスフィンオキシド配位子と、 を含む、希土類錯体。
IPC (3):
C07F 9/53 ,  C07C 49/92 ,  C09K 11/06
FI (3):
C07F9/53 ,  C07C49/92 ,  C09K11/06
F-Term (12):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB82 ,  4H006AB92 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB82 ,  4H050AB92
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 国際公開第2015/002282号

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