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J-GLOBAL ID：202203018866708600

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 下田 達也 ,  李 金望 ,  小山 浩晃
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社 ,  国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：7038087
Patent number：7036387
Application date： Oct. 20, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ゲート電極、ゲート絶縁層、および酸化物半導体層をこの順で備える、薄膜トランジスタであって、 前記ゲート絶縁層は、 セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)、およびイットリウム(Y)からなる群から選択される金属元素と、ジルコニウム(Zr)とを含む酸化物(i)から形成されており、 前記酸化物半導体層は、インジウム(In)を含む酸化物、インジウム(In)と錫(Sn)とを含む酸化物、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とを含む酸化物、インジウム(In)とジルコニウム(Zr)と亜鉛(Zn)とを含む酸化物、インジウム(In)とガリウム(Ga)とを含む酸化物、およびインジウム(In)と亜鉛(Zn)とガリウム(Ga)とを含む酸化物の群から選択される酸化物から形成されていることを特徴とする、薄膜トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  C01G 25/00 ( 200 6.01) ,  C01G 15/00 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 21/368 Z ,  H01L 21/316 G ,  C01G 25/00 ,  C01G 15/00 B