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J-GLOBAL ID：202203019177137848

結晶膜の製造方法

Inventor： 大島 祐一 ,  河原 克明 ,  四戸 孝 ,  松田 時宜 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018154235
Publication number (International publication number)：2019034882
Patent number：7163540
Application date： Aug. 20, 2018
Publication date： Mar. 07, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ガリウムを含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、前記のガス化を、前記金属源をハロゲン化することにより行い、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行い、前記反応性ガスがハロゲン原子および/または水素原子を含むことを特徴とする結晶膜の製造方法。

IPC (7)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 25/14 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  C23C 16/02 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01)

FI (7)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭57-091539
  
• α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-035140   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-088589   Applicant：株式会社タムラ製作所, 国立大学法人東京農工大学
• 結晶性積層構造体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-239389   Applicant：株式会社FLOSFIA
• 基体、発光素子および基体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-221683   Applicant：国立大学法人京都工芸繊維大学

Cited by examiner (1)

• 特開昭57-091539