Pat

J-GLOBAL ID：202203020178813608

結晶膜の製造方法

Inventor： 大島 祐一 ,  藤田 静雄 ,  金子 健太郎 ,  嘉数 誠 ,  河原 克明 ,  四戸 孝 ,  松田 時宜 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐賀大学
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018154238
Publication number (International publication number)：2019163200
Patent number：7166522
Application date： Aug. 20, 2018
Publication date： Sep. 26, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶であって、主面がc面であり、前記酸化物半導体が酸化ガリウムであり、ゲルマニウムでドーピングされており、キャリア密度が1×1018/cm3以上であり、移動度が20cm2/Vs以上であることを特徴とする結晶。

IPC (5)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 25/02 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01)

FI (5)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/02 Z ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/368 Z ,  H01L 21/365

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-035140   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-088589   Applicant：株式会社タムラ製作所, 国立大学法人東京農工大学
• 結晶性酸化物半導体膜および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-078494   Applicant：株式会社FLOSFIA
• III族酸化物半導体を含む半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-101353   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 車輪用軸受装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2017-052665   Applicant：NTN株式会社