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J-GLOBAL ID：202203020178813608

結晶膜の製造方法

Inventor： 大島 祐一 ,  藤田 静雄 ,  金子 健太郎 ,  嘉数 誠 ,  河原 克明 ,  四戸 孝 ,  松田 時宜 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐賀大学
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018154238
Publication number (International publication number)：2019163200
Patent number：7166522
Application date： Aug. 20, 2018
Publication date： Sep. 26, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶であって、主面がc面であり、前記酸化物半導体が酸化ガリウムであり、ゲルマニウムでドーピングされており、キャリア密度が1×1018/cm3以上であり、移動度が20cm2/Vs以上であることを特徴とする結晶。

IPC (5)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 25/02 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01)

FI (5)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/02 Z ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/368 Z ,  H01L 21/365