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J-GLOBAL ID：202204007452383787
Research Project code：21458898
狭ギャップIV族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス
狭ギャップIV族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス
National award number：JPMJCR21C2
Study period：2021 - 2026
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学研究科, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR21C2
Research overview：
赤外多帯域素子応用に向けて、狭バンドギャップ(< 0.2 eV)かつ高効率光電変換を実現する直接遷移IV族混晶半導体ヘテロ構造を創製し、準安定な混晶材料の特性を損じない欠陥制御および低サーマルバジェットプロセスの学理・技術を構築します。さらに、狭ギャップIV族混晶ダイオードなど受発光素子のSi LSIプラットフォーム上集積や赤外多帯域撮像素子の試作・動作実証に取り組みます。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Integrated Devices and Systems Utilized by Information Carriers
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
