次世代MEMSデバイスの高精度・高信頼性を実現する新規低熱膨張Fe-Ni合金めっきプロセスの高度化

Study period：2014 - 2015
Organization (1)：
Research responsibility： ( , 京都市産業技術研究所, 研究員 )
Research overview：

本課題の目標は、我々が開発した新規低熱膨張Fe-Ni合金めっきプロセスを活用したMEMS構造体作製技術の高度化を検討し、寸法熱安定性の優れた次世代MEMSデバイスの作製技術を確立することである。そのために、当該プロセスにおいて、現状めっき液の経年使用時において課題となっているFe(III)イオンの生成、蓄積によるめっき膜の脆化の影響について調査するとともに、Fe(III)イオンのモニタリング技術さらには低減化技術を確立することで、課題解決を図った。検討の結果、当該プロセスにおいてめっき膜が脆化することで、得られためっき構造体がMEMS部材に供することが困難となるFe(III)イオン濃度を見出すことができた。そこで、Fe(III)イオンの濃度管理を簡便かつ高精度で行うことのできるフローインジェクションアンペロメトリーによるFe(III)イオンモニタリング技術を確立した。さらにめっき液中のFe(III)イオンの低減化を図るために鉄粉還元法を適応し、めっき液の経年使用時においても高品位なMEMSデバイスに適した低熱膨張構造体を得ることが可能となった。

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Research program：＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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