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J-GLOBAL ID：202204008652840372
Research Project code：22480325
神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出
神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出
National award number：JPMJKB2103
Study period：2022 - 2024
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, システム理工学部, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJKB2103
Research overview：
本研究は、将来的な神経模倣コンピュータへの応用展開を視野に入れ、二次元材料を基盤とする超低消費電力不揮発性メモリの創出を目指すものである。日本側チームは欠陥制御された二次元材料を用いた電荷トラップメモリ、および超低消費電力性を有するトンネル電界効果トランジスタ(FET)の開発を主に行う。一方、台湾側チームは化学制御された二次元材料トラップを用いたメモリの開発とトンネルFETの低消費電力動作実証を行う。各チームの研究によって得られた知見や技術を共有・統合することで、神経模倣コンピュータ実装に資する超低消費電力電荷トラップメモリの効果的開発とそのシナプスデバイス集積化を推進する。両チームによる共同研究を通して、二次元材料メモリに基づく神経模倣コンピュータの将来的な実用展開が期待される。
Terms in the title (7)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Nanoelectronics and System Integration for AI
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
