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J-GLOBAL ID：202204015071972622
Research Project code：21460271
3次元磁気メモリの開発
3次元磁気メモリの開発
National award number：JPMJCR21C1
Study period：2021 - 2026
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 化学研究所, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR21C1
Research overview：
記録層/磁壁層で構成される人工強磁性体からなる3次元磁気メモリを開発する。本提案の3次元磁気メモリでは、3次元構造・磁性体の不揮発性と高速ダイナミクス・多値メモリシフトレジスタの特徴から、揮発性メモリDRAM同様の高速性と不揮発性メモリ3D-NANDのような高密度・低コストが実現される。
Terms in the title (3)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Integrated Devices and Systems Utilized by Information Carriers
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
