酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた低消費電力二酸化炭素センサの開発

Study period：2014 - 2015
Organization (1)：
Research responsibility： ( , 未登録, 研究員(移行) )
Research overview：

a-InGaZnO TFTを基本構造として用いた二酸化炭素センサの開発を行った。シリコン宙づり構造体上に、薄膜ヒータ及びTFTを集積したガスセンサプラットフォームを開発し、加熱到達温度350°C、200°CまでのTFTスイッチング動作を実現した。二酸化炭素センサとしては、目標とした100mWでの駆動は実現できなかったが、500~5,000ppmの範囲における感受性、約30秒での応答を確認し、間欠駆動によるドリフト抑制手法を考案した。また、共存ガスとなる酸素、窒素に対しては感受性を持たないこと、センサ設置環境の風量変化に依存して出力電流が変動することを明らかにした。今後は、ガスセンサプラットフォームの改善として、外乱ノイズの低減、熱放散を抑制するため、パッケージと組み合わせたモジュール化を進め、他のガス種を対象としたセンサ開発に展開する予定である。

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Research program：＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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