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J-GLOBAL ID：202303002029633094

赤外線検出素子およびその製造方法

Inventor： 下山 勲 ,  ▲高▼畑 智之 ,  高橋 英俊 ,  塚越 拓哉 ,  安永 竣 ,  菅 哲朗
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学 ,  国立大学法人電気通信大学
Agent (1)： 弁理士法人ドライト国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019106325
Publication number (International publication number)：2020017718
Patent number：7394373
Application date： Jun. 06, 2019
Publication date： Jan. 30, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】赤外線を透過し、表面に複数の凹部が形成された基板と、前記凹部の内面を含む前記基板の表面に設けられ、前記基板との界面でショットキー障壁を形成する金属膜とを備え、前記金属膜は、前記基板の表面に設けられた第1の金属膜、前記凹部の底面に設けられた第2の金属膜、及び前記凹部の側面の一部に設けられた第3の金属膜を含んで形成され、前記第3の金属膜の厚みは、前記第1の金属膜および前記第2の金属膜よりも薄く形成されており、前記基板は、前記赤外線が入射する裏面を有し、前記第2の金属膜は、前記基板の裏面から入射して前記基板を透過した前記赤外線によって局在表面プラズモン共鳴を発生する共鳴部であり、前記第3の金属膜を介して、前記第1の金属膜に電気的に接続されており、各々の前記凹部の底面に設けられた前記第2の金属膜の高さ位置が互いに揃っている赤外線検出素子。

IPC (2)：

H01L 31/108 ( 200 6.01) ,  G01J 1/02 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 31/10 C ,  G01J 1/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-230570   Applicant：キヤノン株式会社
• フォトダイオードとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-099074   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "SI PROCESS COMPATIBLE NEAR-INFRARED PHOTODETECTOR USING AU/SI NANO-PILLAR ARRAY"