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J-GLOBAL ID：202303005660641979
光変調器の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
弁理士法人谷・阿部特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：9043536
Patent number：7227542
Application date： Nov. 06, 2019
Claim (excerpt)：
【請求項1】半導体基板上に形成された多モード干渉導波路を有するマッハ・ツェンダ型の光変調器の製造方法であって、 前記光変調器のチップ内に存在する前記多モード干渉導波路を加工するために用いる導波路加工用マスク幅を少なくとも1箇所以上で測長するマスク幅測長ステップと、 機械学習により前記導波路加工用マスク幅と前記光変調器の光学特性との関係を解析して予め作成した当該光変調器の標本データに基づいて、前記マスク幅測長ステップで測長した当該導波路加工用マスク幅が当該標本データの許容範囲に存在するか否かによって、事前に前記チップの光学特性の良否を予測判定するチップ良否判定ステップと、 前記マスク幅測長ステップで測長した前記導波路加工用マスク幅がターゲットとなる導波路マスク幅からずれた場合、前記チップ良否判定ステップでの前記予測判定の結果で前記光学特性の否を示す頻度が予め規定した度合いに到達すると、マスク作製をし直すマスク作製し直しステップと、を有する ことを特徴とする光変調器の製造方法。
IPC (2)：
G02B 6/13 ( 200 6.01)
, G02F 1/025 ( 200 6.01)
