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J-GLOBAL ID:202303006312108538

粒子線照射装置及び粒子線照射プログラム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 弁理士法人東京国際特許事務所
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2019088065
Publication number (International publication number):2020183894
Patent number:7237716
Application date: May. 08, 2019
Publication date: Nov. 12, 2020
Claim (excerpt):
【請求項1】患部領域に表す三次元格子点の各々に入射させる荷電粒子線がスキャニングされるよう電磁石を制御する粒子線照射装置において、前記電磁石を含む複数の機器の制御シーケンスを記述したパターンデータに基づいて、各々の前記機器の制御信号を出力する制御部と、 前記制御信号を入力して前記電磁石のコイルに励磁電流を供給する電流供給部と、前記励磁電流の供給値の時系列データを受信するデータ受信部と、 前記時系列データに基づいて、前記コイルのコイル温度を演算する温度演算部と、を備え、前記コイル温度を監視する温度監視部は、 前記コイル温度が第1閾値を超えたタイミングで、前記励磁電流の供給値を下げて前記制御シーケンスを一時停止させる指令を前記制御部に出力し、 前記コイル温度が前記第1閾値を下回る第2閾値に到達したタイミングで、前記励磁電流の供給値を元に戻し、前記制御シーケンスを再開させる指令を前記制御部に出力し、 前記コイル温度が第3閾値を超えたタイミングで、前記制御シーケンスを強制終了するインターロック機構部を発動させる指令を出力し、 前記制御部は、前記インターロック機構部で中断したところから再構築した前記パターンデータに基づいて、前記制御シーケンスを新たに実行させる粒子線照射装置。
IPC (5):
G21K 1/087 ( 200 6.01) ,  A61N 5/10 ( 200 6.01) ,  G21K 1/093 ( 200 6.01) ,  H01F 7/20 ( 200 6.01) ,  G21K 5/04 ( 200 6.01)
FI (5):
G21K 1/087 S ,  A61N 5/10 H ,  G21K 1/093 S ,  H01F 7/20 K ,  G21K 5/04 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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