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J-GLOBAL ID：202303007742838102

半導体装置

Inventor： 松田 時宜 ,  杉本 雅裕 ,  四戸 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：8042349
Patent number：7228754
Application date： Nov. 15, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含むn型半導体層と、該n型半導体層上に直接または他の層を介してそれぞれ積層されている電界シールド層と、チャネル層と、およびゲート電極とを少なくとも備える半導体装置であって、前記電界シールド層が、第1のp型酸化物半導体を含み、前記ゲート電極よりも深くn型半導体層に埋め込まれており、前記チャネル層が、第2のp型酸化物半導体を含み、第1のp型酸化物半導体と第2のp型酸化物半導体とは互いに組成が異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (7)：

H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 21/20