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J-GLOBAL ID：202303008772850413

FeSiAl合金薄膜およびFeSiAl合金薄膜の製造方法、ならびに、磁気センサおよび磁気センサの製造方法

Inventor： 大兼 幹彦 ,  赤松 昇馬 ,  安藤 康夫 ,  熊谷 静似
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (1)： 楠 修二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2023090049
Publication number (International publication number)：2023182541
Application date： May. 31, 2023
Publication date： Dec. 26, 2023
Summary：

【課題】良好な軟磁気特性を有し、MTJ素子の自由層に使用可能なFeSiAl合金薄膜およびFeSiAl合金薄膜の製造方法、ならびに、MTJ素子の自由層にFeSiAl合金薄膜を含む磁気センサおよび磁気センサの製造方法を提供する。 【解決手段】FeSiAl合金薄膜13は、8at%より多く25at%以下のAlと、8at%以上25at%以下のSiとを含み、残部がFeおよび不可避不純物から成り、膜厚が20nm~100nmである。磁気センサは、磁化方向が固定されている固定層と、磁化方向が変化可能な自由層と、固定層と自由層との間に配置された絶縁層とを有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気センサであって、自由層はFeSiAl合金薄膜13を含んでいる。 【選択図】図11

Claim (excerpt)：

8at%より多く25at%以下のAlと、8at%以上25at%以下のSiとを含み、残部がFeおよび不可避不純物から成り、膜厚が20nm~100nmであることを特徴とするFeSiAl合金薄膜。

IPC (3)：

H01L 29/82 ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18

FI (3)：

H01L29/82 Z ,  H01F10/14 ,  H01F41/18

F-Term (17)：

5E049AA01 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049GC01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC04 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB08 ,  5F092BB17 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC07 ,  5F092CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第120006号公報