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J-GLOBAL ID:202303011205536164

ダイヤモンド膜等を形成するためのデバイスおよびその形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山尾 憲人 ,  江間 晴彦 ,  高岡 健
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2023062460
Publication number (International publication number):2023085501
Application date: Apr. 07, 2023
Publication date: Jun. 20, 2023
Summary:
【課題】直流電源を用いる場合に生じ得る電極溶融を抑制可能なダイヤモンド形成デバイスおよびその形成方法を提供する。 【解決手段】基材30の表面上に少なくともダイヤモンド膜を形成するためのデバイスであって、原料液20を保持しかつ該原料液20中に基材30を設置するための容器10と、正電極41および負電極42を備え、かつ前記原料液20中にてプラズマPを発生させるための電極部40と、前記電極部40にそれぞれ接続された原料ガス供給部およびキャリアガス供給部と、前記電極部40に電圧を印加するための電源70とを有して成り、前記電源70が直流電源であり、および前記電極部40が付加部材43を更に備え、該付加部材43が該電極部40の前記プラズマPの発生領域に位置する電極に取り付けられている、デバイスが提供される。 【選択図】図2
Claim (excerpt):
基材の表面上に少なくともダイヤモンド膜を形成するためのデバイスであって、 原料液を保持しかつ該原料液中に基材を設置するための容器と、 正電極および負電極を備え、かつ前記原料液中にてプラズマを発生させるための電極部と、 前記電極部にそれぞれ接続された原料ガス供給部およびキャリアガス供給部と、 前記電極部に電圧を印加するための電源と を有して成り、 前記電源が直流電源であり、および 前記電極部が付加部材を更に備え、該付加部材が該電極部の前記プラズマの発生領域に位置する電極に取り付けられている、デバイス。
IPC (4):
C01B 32/26 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/50 ,  C01B 32/16
FI (4):
C01B32/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C01B32/16
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • ダイヤモンド製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-340327   Applicant:国立大学法人愛媛大学, 株式会社豊田自動織機

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