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J-GLOBAL ID：202303011590444046

二酸化炭素還元用電極及びその製造方法

Inventor： 木田 徹也 ,  キタイン アルマンド ,  塚越 範彦 ,  笹原 潤
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学 ,  本田技研工業株式会社
Agent (6)： 千葉 剛宏 ,  宮寺 利幸 ,  千馬 隆之 ,  仲宗根 康晴 ,  坂井 志郎 ,  関口 亨祐
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019084050
Publication number (International publication number)：2020180338
Patent number：7212228
Application date： Apr. 25, 2019
Publication date： Nov. 05, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】 導電体からなる基材と、前記基材に形成されて二酸化炭素を還元する還元用薄膜とを備える二酸化炭素還元用電極において、 前記還元用薄膜が、窒素がドープされ且つ銅を担持した酸化グラフェンからなり、前記基材の表面の少なくとも一部がポリエチレンイミン膜で覆われた二酸化炭素還元用電極。

IPC (5)：

C25B 11/091 ( 202 1.01) ,  C01B 32/198 ( 201 7.01) ,  B01J 35/04 ( 200 6.01) ,  B01J 37/04 ( 200 6.01) ,  B01J 27/24 ( 200 6.01)

FI (5)：

C25B 11/091 ,  C01B 32/198 ,  B01J 35/04 331 A ,  B01J 37/04 102 ,  B01J 27/24 A