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J-GLOBAL ID：202303014250241905

磁気抵抗素子、磁気センサ、および磁気メモリ

Inventor： 肥後 豊 ,  阪井 塁 ,  遠藤 将起 ,  大森 広之 ,  細見 政功 ,  野▲崎▼ 隆行 ,  薬師寺 啓 ,  甲野藤 真 ,  山本 竜也 ,  野崎 友大 ,  湯浅 新治
Applicant, Patent owner： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Agent (1)： 弁理士法人酒井国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021107765
Publication number (International publication number)：2023005686
Application date： Jun. 29, 2021
Publication date： Jan. 18, 2023
Summary：

【課題】大きな垂直磁気異方性を有する磁性層を含む磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気デバイスを提供する。 【解決手段】磁気抵抗素子は下地層10、第1磁性層11、第1非磁性層12、第2磁性層13からなり、第1非磁性層12にフッ素(F)を含む絶縁体を用いる。また非磁性層は第1非磁性層12/第2非磁性層14の積層構造とすることも可能であり、第2非磁性層にフッ素を含む絶縁体もしくは酸化物絶縁体、もしくは窒化物絶縁体を用いる。これらの磁気抵抗素子において、フッ素を含む絶縁体と第1磁性層の界面において大きな磁気異方性を付与することが可能となる。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下地層の上に積層された第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された第1非磁性層とを備え、 前記第1非磁性層は、 フッ素を含む絶縁材料を含む ことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5)：

H10N 50/10 ,  H10N 52/85 ,  H10B 61/00 ,  H01F 10/30 ,  G11B 5/39

FI (5)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/105 447 ,  H01F10/30 ,  G11B5/39

F-Term (44)：

4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD07 ,  4M119DD17 ,  4M119DD32 ,  4M119DD44 ,  4M119DD55 ,  4M119EE21 ,  4M119EE27 ,  4M119FF13 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ04 ,  4M119JJ12 ,  5D034BA03 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA20 ,  5F092AB01 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BC45 ,  5F092BE02 ,  5F092CA02 ,  5F092CA25 ,  5F092CA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2019-052166   Applicant：キオクシア株式会社