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J-GLOBAL ID：202303015075837820

窒化物半導体装置の製造方法

Inventor： 大森 雅登 ,  加地 徹 ,  須田 淳 ,  ボコウスキ ミハウ スタニスワフ
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東海国立大学機構 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019049981
Publication number (International publication number)：2020155470
Patent number：7249586
Application date： Mar. 18, 2019
Publication date： Sep. 24, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】 窒化物半導体基板の一部にn型不純物を第1濃度で含んだn型領域を形成する工程と、 前記窒化物半導体基板の露出面から前記n型領域以外の特定領域にp型不純物を導入する不純物導入工程であって、 前記特定領域に含まれるn型不純物の濃度は前記第1濃度よりも低く、前記特定領域は前記n型領域に接している、前記不純物導入工程と、 前記n型領域中のn型不純物を拡散させずに前記p型不純物を選択的に前記特定領域内に熱拡散させる拡散工程と、 を備え、 前記拡散工程では、前記n型領域と前記特定領域との境界面で前記p型不純物の拡散を停止させることで前記p型不純物を前記n型領域の内部へ拡散させない、窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 21/223 ( 200 6.01) ,  H01L 21/225 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/20 ( 200 6.01)

FI (10)：

H01L 29/78 658 A ,  H01L 21/265 601 A ,  H01L 21/265 601 Z ,  H01L 21/223 C ,  H01L 21/225 C ,  H01L 21/225 N ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/78 658 E