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J-GLOBAL ID：202303016342500624
試験装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
三好 秀和
, 高橋 俊一
, 伊藤 正和
, 高松 俊雄
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2021139239
Patent number：7229575
Application date： Aug. 27, 2021
Summary：
【課題】パワー半導体素子を実装可能な絶縁基板の面内方向の熱伝達特性を容易に評価できる試験装置を提供する。
【解決手段】熱特性評価装置は、評価用の試料10が搭載されるヒートシンク100と、ヒートシンク100に搭載された試料10のメタライズセラミック基板30上に配置されたヒータチップ20を発熱させるための直流安定化電源14と、ヒートシンク100を介して、メタライズセラミック基板30を冷却する恒温水循環装置12と、ヒータチップ20を発熱させることによってメタライズセラミック基板30を加熱させるとともに、メタライズセラミック基板30の周縁部分を冷却させた際に生じる、メタライズセラミック基板30の水平方向の温度差を測定するサーモカメラ18と、を備える。
【選択図】図1
Claim (excerpt)：
【請求項1】絶縁基板が搭載される搭載部と、 前記搭載部に搭載された前記絶縁基板の表面に配置された発熱部材を発熱させるための発熱部と、 前記搭載部を介して、前記絶縁基板を冷却する冷却部と、 前記発熱部材を前記発熱部により発熱させることによって前記絶縁基板の中央部分を加熱させるとともに、前記絶縁基板の周縁部分を前記冷却部によって冷却させた際に生じる、前記絶縁基板の水平方向の温度差を測定する測定部と、 を備え、 前記測定部の測定結果に基づいて、前記絶縁基板の面内方向の熱伝達特性を評価する試験装置であって、前記絶縁基板は、セラミック薄板の両面に金属層が設けられたメタライズセラミック基板であり、前記発熱部材は、前記メタライズセラミック基板の表面側に実装された疑似発熱チップであることを特徴とする試験装置。
IPC (2)：
G01N 25/18 ( 200 6.01)
, G01R 31/26 ( 202 0.01)
G01N 25/18 E
, G01R 31/26 Z
, G01R 31/26 A
, G01R 31/26 B
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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