Pat

J-GLOBAL ID：202303018603514132

SPRセンサチップおよびSPRセンサ

Inventor： 下山 勲 ,  野田 堅太郎 ,  塚越 拓哉 ,  森藤 陸太 ,  ▲高▼畑 智之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 弁理士法人ドライト国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019177950
Publication number (International publication number)：2021056048
Patent number：7339655
Application date： Sep. 27, 2019
Publication date： Apr. 08, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】 光を透過する誘電体と、 前記誘電体の表面に設けられ、前記光が前記誘電体との第1の界面に入射することにより表面プラズモン共鳴を誘起する第1の金属膜と、 前記誘電体の前記表面のうち、前記第1の金属膜とは異なる位置に設けられ、前記光が前記誘電体との第2の界面に入射することにより表面プラズモン共鳴を誘起する第2の金属膜と、 前記第1の金属膜上に設けられ、複数の検出対象物質を特異的に吸着する第1の感応膜と、 前記第2の金属膜上に設けられ、前記第1の感応膜とは異なる吸着速度で、前記複数の検出対象物質を特異的に吸着する第2の感応膜と を備えるSPRセンサチップ。

IPC (1)：

G01N 21/41 ( 200 6.01)

FI (1)：

G01N 21/41 101