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J-GLOBAL ID：202304001349037640
Research Project code：23718554
深紫外LEDの実用化に向けたAlGaNヘテロ界面の原子レベル制御 (AtLv-AlGaN)
深紫外LEDの実用化に向けたAlGaNヘテロ界面の原子レベル制御 (AtLv-AlGaN)
National award number：JPMJSC22C1
Study period：2023 - 2025
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 応用力学研究所, 教授(副所長) )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJSC22C1
Research overview：
本研究は、コロナウィルスや細菌などのRNA、DNAの破壊、不活化に資する深紫外LEDの開発を目的とする。具体的には、(1)ポーランドと三重大学のチームが、原料原子・分子の結晶成長表面への吸着確率などの物性パラメータを解析し、(2)ブルガリアのチームが、得られた物性パラメータを実装した表面原子ステップの動的挙動を解析するデジタルツイン(現実空間のデジタル複製)を開発する。(3)九州大学のチームが、開発されたデジタルツインを活用した機械学習により原子レベルで平坦な表面/界面を得るための結晶成長条件を予測する。以上の知見を基に、(4)三重大学のチームがAlGaN有機金属気相成長により深紫外LEDを作製する。3カ国4チームによる共同研究を通して、クリーンで安全・安心な社会の実現に寄与する。
Terms in the title (6)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Design of Materials with Atomic Precision
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
