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J-GLOBAL ID：202304004433380554
Research Project code：23808979
【マテリアル分野】金属マグネシウム層とGaN層の2次元超格子(MiGs)の物性とデバイス応用
【マテリアル分野】金属マグネシウム層とGaN層の2次元超格子(MiGs)の物性とデバイス応用
National award number：JPMJKB2303
Study period：2023 - 2023
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 未来材料・システム研究所, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJKB2303
Research overview：
名大にて発見された金属Mg/GaN半導体-層間超格子(MiGs)の形成理由解明、物性評価およびデバイス応用を目的とする。名大天野チームは国際共同研究を主導、またサンプルの物性評価、デバイス加工を実施する。コーネル大学チームはプラズマ援用分子線エピタキシーによりウエハスケールでの再現を目指す。UCLAチームは分子動力学により自己組織化の動的過程を解明する。これらにより1)歪み誘起価電子帯反転による軽い正孔帯による正孔移動度の向上や結晶極性反転による分極誘起正孔ドーピング、および2)高い正孔移動度とデバイス低損失化(p型GaNへの安定したオーミック電気コンタクト)などMiGsの学術的・産業的発展が期待できる。
Terms in the title (8)：
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Research program：
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Parent Research Project：
Advanced International Collaborative Research Program (AdCORP)
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
