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J-GLOBAL ID：202403000507952600

シンチレータおよびシンチレータ用単結晶の製造方法

Inventor： 村上 健太 ,  柳田 健之 ,  河口 範明 ,  中内 大介 ,  赤塚 雅紀 ,  福嶋 宏之
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社 ,  国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
Agent (1)： 弁理士法人ブナ国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1007278
Patent number：7478399
Application date： Feb. 26, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Ceを添加したTAGG(テルビウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネット)系単結晶を含み、該単結晶の構成元素(Ce、Tb、RE(REはTbおよびCe以外のTbサイトの構成元素)、AlおよびGa)の原子数の比率Ga/(Ga+Al)が1%以上3%以下、Ce/(Tb+Ce+RE)が0.6%以上0.8%以下である、シンチレータ。

IPC (7)：

C09K 11/80 ( 200 6.01) ,  C09K 11/00 ( 200 6.01) ,  C09K 11/08 ( 200 6.01) ,  C30B 29/28 ( 200 6.01) ,  C30B 13/00 ( 200 6.01) ,  G01T 1/202 ( 200 6.01) ,  G01T 1/20 ( 200 6.01)

FI (7)：

C09K 11/80 ,  C09K 11/00 E ,  C09K 11/08 B ,  C30B 29/28 ,  C30B 13/00 ,  G01T 1/202 ,  G01T 1/20 E