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J-GLOBAL ID：202403004204179849

半導体デバイス

Inventor： 高橋 正紘 ,  堀田 英樹 ,  前田 辰郎
Applicant, Patent owner： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1019402
Patent number：7448924
Application date： May. 21, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜に隣接して設けられた塩素含有半導体層と、 前記塩素含有半導体層に隣接して設けられた半導体領域と、 を有し、 前記塩素含有半導体層の塩素濃度が1.0×1020atoms/cm3以上1.0×1022atoms/cm3以下であって、 前記絶縁膜および前記半導体領域のそれぞれが塩素フリーである半導体デバイス。

IPC (7)：

H10B 43/00 ( 202 3.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01)

FI (7)：

H10B 43/00 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 F ,  C23C 16/42