Pat

J-GLOBAL ID：202403007750344035

面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法

Inventor： 野田 進 ,  田中 良典 ,  デ ゾイサ メーナカ ,  石崎 賢司 ,  小泉 朋朗 ,  江本 渓
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学 ,  スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 弁理士法人レクスト国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2024110817
Publication number (International publication number)：2024133145
Application date： Jul. 10, 2024
Publication date： Oct. 01, 2024
Summary：

【課題】フォトニック結晶層を伝搬する光波に対する結合係数が大きく、低閾値電流密度で発振動作が可能な、フォトニック結晶を備えた面発光レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 III族窒化物半導体からなる面発光レーザ素子であって、第1導電型の第1のクラッド層と、第1のクラッド層上に形成され、層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された空孔を有するフォトニック結晶層と、当該フォトニック結晶層上に形成されて当該空孔を閉塞する第1の埋込層と、を有する第1導電型の第1のガイド層と、第1の埋込層上に結晶成長された第2埋込層と、第2の埋込層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2のガイド層と、第2のガイド層上に形成された第1導電型と反対導電型の第2導電型の第2のクラッド層と、を有し、第1の埋込層の表面は、当該空孔に対応した表面位置に配されたピットを備える。 【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に設けられた六方晶系の半導体構造層とを備え、前記半導体構造層の上面側もしくは下面側から出光する面発光レーザ素子であって、 前記半導体構造層は、 第1導電型の第1のクラッド層と、 層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された複数の空孔を有するフォトニック結晶層、前記フォトニック結晶層より下側に位置し前記フォトニック結晶層と接するベース層、及び前記フォトニック結晶層より上側に位置し前記空孔の開口部を閉塞する第1の埋込層からなり、かつ前記第1のクラッド層上に形成された前記第1導電型の第1のガイド層と、 前記第1のガイド層上に形成された第2の埋込層と、 前記第2の埋込層上に形成された活性層と、 前記活性層上に形成された第2のガイド層と、 前記第2のガイド層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層と、を備えており、 前記ベース層、前記フォトニック結晶層及び前記第1の埋込層は、同じ元素によって構成されており、 前記第1の埋込層と前記第2の埋込層の合計層厚が100nm以下であり、 前記第2の埋込層の含有酸素濃度は、前記フォトニック結晶層の含有酸素濃度に比べて小さい、面発光レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 5/11 ,  H01S 5/18 ,  H01S 5/343

FI (3)：

H01S5/11 ,  H01S5/18 ,  H01S5/343 610

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許第5082447号公報
  
• 特許第4818464号公報