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J-GLOBAL ID：202403014817584369

磁気センサ

Inventor： 小笠原 貴大 ,  大兼 幹彦 ,  角田 匡清 ,  安藤 康夫
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019198090
Publication number (International publication number)：2021072364
Patent number：7440030
Application date： Oct. 31, 2019
Publication date： May. 06, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】 トンネル磁気抵抗素子を利用した磁気センサであって、 前記トンネル磁気抵抗素子は、磁化方向が固定されている固定層と、磁化方向が変化可能な自由層と、前記固定層と前記自由層との間に配置された絶縁層とを有し、 前記絶縁層はMgOから成り、層厚が1.5nm乃至2.5nmであり、前記固定層は、磁化方向が前記絶縁層との境界面に対して垂直方向に固定されており、 前記自由層はCoxFe80-xB20合金(ここで、10≦x≦30)から成り、層厚が1.45nm乃至1.70nmであり、磁化方向が前記固定層の磁化方向に対して平行な方向と反平行な方向との間で変化可能であり、 前記自由層の実効異方性磁場をHkeff、2次の異方性磁場をHk2とすると、 |Hkeff|<3 kOe |Hk2/Hkeff|<0.25であることを 特徴とする磁気センサ。

IPC (4)：

H10N 50/10 ( 202 3.01) ,  H01F 10/16 ( 200 6.01) ,  H01F 10/30 ( 200 6.01) ,  G01R 33/09 ( 200 6.01)

FI (5)：

H10N 50/10 Z ,  H10N 50/10 M ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-217702   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Controlling nonlinearity for magnetic tunnel junction based sensors by second order megnetic anisot